科技成果——半导体芯片结温与系统热阻构成无损检测关键技术

来源：钮旅网

科技成果——半导体芯片结温与系统热阻构成

无损检测关键技术

成果简介

该项目针对工况下半导体器件有源区（结）功率密度高、温升高，致使接近60%的系统失效问题，开展了创新性研究并取得成果。主要包括：热阻构成分析技术、温敏参数快速检测方法与技术、焊接质量分析评价技术。

通过一次测量器件温敏参数随时间变化过程曲线，有效获取器件结温，以及由有源区至外部环境散热路径上材料层热阻构成。实现封装半导体器件结温的无损、准确、快速测量，以及散热特性“可视化”分析。研制的仪器测量精度由于0.1摄氏度，与国际上同类仪器相比，仪器性能指标处于国际先进水平，突破了国外对该技术的垄断。

通过同时采集温度平台温度和器件温敏参数随时间变化过程，获取半导体器件电学参数随温度变化系数，将传统温度系数的稳态多点恒温测量方法时长从小时量级，缩短为6分钟以内。在保证测量精度条件下，效率提高超过10倍以上。

应用情况

项目研究成果主要应用单位包括：东莞勤上光电技术股份有限公司，华为技术有限公司，北京卫星制造厂有限公司，中国电子科技集团公司第12研究所、第14研究所、第55研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院理化研究所，六安学院，华北电力大学等二十余家企事业单位。

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