一种SiC肖特基二极管及其制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种SiC肖特基二极管及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：朱继红,蔺增金,赵小瑞,张志文申请号：CN201711176823.X申请日：20171122公开号：CN107968126A公开日：20180427

摘要：一种SiC肖特基二极管，其特征在于，包括：第一导电类型的SiC衬底；第一导电类型的SiC外延层，设置在衬底的第一表面上，其中，外延层的掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度；第一斜坡介质层，设置在外延层的远离衬底的表面上，并在中间形成有开口，第一斜坡介质层具有斜坡结构；第二斜坡介质层，设置在第一斜坡介质层上，并具有斜坡结构；第一电极层，设置在衬底的第二表面上；以及第二电极层，包括覆盖开口的肖特基接触区以及延伸到第一斜坡介质层和第二斜坡介质层的金属场板结构。本发明还公开了一种SiC肖特基二极管的制备方法。

申请人：北京燕东微电子有限公司

地址：100015 北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号

国籍：CN

代理机构：北京正理专利代理有限公司

代理人：张雪梅

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