专利名称：一种具有导电DBR的GaN基LED及其制备方法专利类型：发明专利发明人：张宇,魏斌
申请号：CN201910342861.0申请日：20190426公开号：CN110098295A公开日：20190806
摘要：本发明涉及一种具有导电DBR的GaN基LED及其制备方法，属于LED领域，包括衬底，衬底的上表面依次生长有缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型掺杂GaN层，n型掺杂GaN层上生长制作有多孔导电DBR层，在多孔导电DBR层上表面依次生长有n型半导体层、MQW有源层、p型半导体层和透明导电层；n型掺杂GaN层上表面的裸露部分设有n电极，透明导电层上设有p电极；多孔导电DBR层为制备透明导电层后经电化学腐蚀后形成的交替堆叠的高孔洞率多孔GaN层与低孔洞率多孔GaN层。本发明通过电化学选择性腐蚀形成多孔GaN/GaN导电DBR结构，提高发光二极管产品的发光效率，降低工艺难度和制作成本。
申请人：山东大学
地址：250199 山东省济南市历城区山大南路27号
国籍：CN
代理机构：济南金迪知识产权代理有限公司
代理人：赵龙群
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