1. 单结晶体管的结构和等效电路
高参杂发射极基极b2b2
低参杂b2
ePNeb1
Drb2
e
rb1
b1
PN结b1基极
符号
等效电路
结构示意图
返回下一页2. 工作原理和特性曲线
b2当b1-b2间加电源VBB
IEReVEE
e+UEB1Drb2且发射极开路时
VBB
Arb1b1rb1UAVBBVBBrb1rb2b1测试电路
称为单结晶体管的分压比VBBrb1rb2基极b2的电流为IB2当UEB1为零时,二极管承受反向电压UEAVBBIE为二极管的反向电流
上一页返回下一页2. 工作原理和特性曲线
b2当UEB1= UEA时,
IEReVEE
e+UEB1Drb2IE= 0
VBB
Arb1b1若UEB1继续增大
使PN结正向偏置则IE变为正向电流
b1测试电路
当UEB1增大到某一数值,单结晶体管进入负阻工作区
IE的增加只受输入回路外部电阻的截止条件:输入回路开路或IE很小
上一页返回下一页特性曲线
谷点电流iE饱和区负阻区截止区IVIP峰点电流uEB1UVUP峰点电压IEO谷点电压单结晶体管的负阻特性广泛应用于:定时电路和振荡电路中
上一页返回下一页3. 应用举例
单结晶体管组成的振荡电路
uc
UPUVOC+VBB
Rucuc的波形
t电路
上一页返回下一页二、晶闸管
1、结构和等效模型
阳极AP1N1GP2N2AT1AAJ1J2J3
T1P1N1P2GN1P2N2T2
GT2GC控制极CC结构示意图
等效电路
C结构的分解
阴极符号上一页返回下一页2、工作原理
RRVAA
b1b2IB2T1b2IB2T2IB2VAA
VGG实际电路
VGGIG等效电路
当A-C间加正向电压,G不加电压时,管子阻断当A-C间加正向电压,且G加正电压时,管子导通正向阻断:阳极电流IA减小到小于维持电流IH反向阻断:阳极和阴极之间加反向电压
上一页返回下一页3、晶闸管的伏安特性
i导通IG增大IG2IG1I0GUBRIRIHou阻断上一页返回下一页4、晶闸管的主要参数
额定正向平均电流IF维持电流IH
触发电压UG 和触发电流IG正向重复峰值电压UDRM
反向重复峰值电压URRM
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